Общие характеристики | |
Тип памяти | DDR3 |
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тактовая частота | 1600 МГц |
Пропускная способность | 12800 Мб/с |
Объем | 1 модуль 2 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
CAS Latency (CL) | 11 |
Дополнительно | |
Количество чипов каждого модуля | 4, односторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.5 В |
Количество ранков | 1 |
Kingston KVR16N11S6/2
ВНИМАНИЕ! Любая информация, представленная на данной интернет-странице, носит исключительно информационный характер и ни при каких обстоятельствах не является публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437(2) ГК РФ. Подробную информацию о наличии и стоимости товаров Вы всегда можете получить, связавшись с нами по телефонам: (812) 988-24-50, (812) 988-24-51 или email: info@sandek.ru
Интернет-магазин компьютерной техники "Sandek" © 2012 - 2019